“董事长，尼康方面要是请我们帮忙为dSp-100升级双工作台系统，我们是否答应？”
去年2月，尼康方面花钱请bSEc为NSR-S308F干式光刻机升级相匹配的双工作台系统。
在攻克193nm波长的世界性光学难题上，bSEc、GcA和ASmL最后走的是134nm波长的浸润式技术，Nikon和canon走的是157nm波长的干式技术。
按照当初同尼康公司签订的授权技术专利的许可合同，bSEc没有责任和义务专门为尼康公司的NSR-S308F干式光刻机，升级相匹配的磁悬浮式双工作台系统。
孙董事长没有同意！
“魏总，不要答应！”
“好的，董事长！”
1993年7月，在孙健的“指引”下，邓国辉院士挂帅，钟德伟教授和夏季常教授担任副组长的联合攻关组，研制成功为光刻机配套的世界首套磁悬浮式双工作台系统（包括硬件和软件），原理是二个平台交替工作，一个平台在做晶圆曝光时，另一个平台做量测、矫正等后续任务，然后二个平台交换位置，整个过程在一个时内重复225次，能提高晶圆生产效率35%，这项世界首创的发明专利属于前世三大光刻机核心专利技术之一。
通过多次升级，如今一个时内达到了285次。
孙健没有藏着掖着，bSEc当时对外公开承诺，等拿到公司发明专利后，向全球光刻机公司许可技术专利。
在18个月的漫长等待后，1995年2月，bSEc获得欧美、日本和韩国等国专利局授予的公司发明专利后，按照当初的承诺，分别同ASmL、Nikon和canon等签订许可合同，授权技术专利；专利使用费相当于每台光刻机售价的1%。
从此，bSEc有了名气，也有了吃饭的本钱！
精明的孙健不会做一锤子买卖！
bSEc当初没有向尼康等公司转让这项技术专利，专利权仍归bSEc所有，被授权人仅获得在约定范围内使用该专利的权利。
许可合同规定，由bSEc统一升级。
许可合同还规定，被授权人未按时支付专利使用费、私自升级等侵权行为和违反使用范围约定等情况，bSEc有权按照许可合同约定收回专利授权。
1993年8月，GcA同bSEc签订了磁悬浮式双工作台系统专利和ArF准分子激光器专利互换协定，都有对方软件的源代码，可以自行升级，GcA不需要支付双工作台的专利使用费。
GcA多次升级的双工作台系统专利还属于bSEc所用。
孙健从夏季常院士的口中得知，双工作台的核心技术是如何精准控制、加速度、避免震动、避免发热等方面？
1996年9月，ASmL也研发成功全球第二种双工作台技术，如今还落后bSEc二代，ASmL量产的tINScAN Nxt 1400i上使用还是bSEc许可的最新一代磁悬浮双工作台系统。
前世，ASmL就是靠自己独创的光刻机双工作台技术和浸没式光刻机打败了全球光刻机老大尼康公司！
EUV光刻机锦上添花，完胜尼康公司。
前世，ASmL没有许可光刻机双工作台技术给尼康公司使用，人才济济的尼康公司在孙健重生前也没有研发成功光刻机双工作台技术，可见双工作台技术的难度，被称为光刻机三大核心技术之一名望所归。
重生前，孙健在网络上看到华清一名教授领导的团队研发成功全球第二种光刻机双工作台，打破了ASmL在工作台上的技术垄断。
在公司核心技术专利的许可上，孙健被全球公认最开明、没有成见的企业家之一。
孙健经常告诉众人，不要轻视尼康公司！
2001年11月初，EUV LLc联盟证明了制造EUV光刻机在理论上的可行性。
2004年5月，GcA EUV光刻机公司研发成功一台EUV激光器和一台EUV光刻机原型机。
EUV激光器和EUV光刻机原型机在全球引起极大的轰动，阻碍全球半导体产业发展的技术瓶颈被美国科学家攻克。
一般人不知道，以尼康和佳能为首的日本半导体公司也在紧锣密鼓的研发EUV光刻机。
很少人知道，EUV光刻技术最早起源于20世纪80年代中期的日本！
1985年，时任日本电信巨头Ntt研究员的木下博夫(hiroo Kinoshita)搭建了世界首台EUV光刻实验装置，成功地蚀刻出了4um的图案，这是人类历史上首次使用EUV进行光刻，同时这张图片也是人类历史上第一张EUV光刻图像。
木下博夫前世被公认为是EUV光刻技术的奠基人。
1986年，木下博夫在日本应用物理学会的一次会议上报告了他的成就，但当时他的演讲遭到高度怀疑。
1989年，木下博夫利用美国加州一个太空飞行实验室开发的基于钼和硅的EUV反射镜，成功刻下了0.5um的图案，这一次真正让人开始重视这项技术。
1993年，木下博夫组织了一次有关EUV技术的美日会议，吸引了约50名研究人员参加，建立了两国之间在EUV光刻技术上的联系。
不过，尼康和佳能等日本光刻机公司当时对EUV并不感兴趣，他们更关注近x射线技术，EUV技术只是备选技术。
1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV的消息传到日本，EUV-LLc的目的是实现EUV光刻技术的商业化，美国芯片产业巨头对EUV技术的热情让日本光刻机行业感到意外和震惊。
1998年，由日本通商产业省牵头，启动了日本的EUV技术研究项目，目标也是实现EUV光刻技术的商业化。
日本的这个项目总共分成了三个阶段，第一阶段，研究和开发EUV光刻的基础技术，主要包括三大部分，分别是曝光工具、掩膜和光刻胶，第一阶段的项目周期是从1998年到2001年；第一阶段的领导机构和资金来源是日本超先进电子技术协会（ASEt）。
ASEt也是日本通商产业省全额资助的研究机构。
第二阶段基于ASEt的基础技术研究成果，将其转化成试验样机，日本的半导体公司将在这一方面提供部分资金支持，第二阶段将从2001到2003年，历时3年；这一阶段没有确定具体的领导者，日本想要达到百花齐放的效果。
第三阶段是从2003年到2006年，目标是由日本的半导体公司把试验样机转化成商业化产品，半导体前沿技术联盟（SELEtE）以及日本的两大光刻机巨头尼康和佳能，将主要负责这个阶段。
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